Silicon carbide substrate, process for producing the same,...

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H - Electricity

01

L

H01L 21/205 (2006.01) C30B 23/02 (2006.01) H01L 21/04 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/203 (2006.01) H01L 29/04 (2006.01) H01L 29/10 (2006.01) H01L 29/24 (2006.01) H01L 29/80 (2006.01)

Patent

CA 2269912

A thin silicon carbide film is epitaxially grown by MBE etc. on the silicon carbide crystal growth surface (1a) of a substrate (1) while keeping silicon atoms (2) present in excess relative to carbon atoms. Thus, a silicon carbide substrate with a satisfactory crystalline state can be formed at a low temperature with good reproducibility. This growth is possible even at temperatures not higher than 1300 ~C, and it is possible to form a heavily doped film, a selectively grown film, and a film comprising cubic silicon carbide grown over hexagonal crystals. When cubic silicon carbide is crystallized on hexagonal crystals, the use of an off-cut substrate having a plane slanting to the direction (numeral 1) is effective in preventing twin generation.

Selon cette invention, un mince film de carbure de silicium est tiré de manière épitaxiale au moyen d'une épitaxie par faisceaux moléculaires (MBE) etc., sur la surface (1a) de tirage de cristaux de carbure de silicium d'un substrat (1) et ce, tout en conservant un excédent d'atomes de silicium (2) par rapport aux atomes de carbone. Ainsi, un substrat en carbure de silicium présentant un état cristallin satisfaisant peut être formé à basse température avec une bonne reproductibilité. Ce tirage est possible même à des températures non supérieures à 1300 ·C et il est possible de former un film fortement dopé, un film tiré de manière sélective, et un film renfermant du carbure de silicium cubique tiré sur des cristaux hexagonaux. Lorsque le carbure de silicium cubique est cristallisé sur des cristaux hexagonaux, l'utilisation d'un substrat découpé présentant un plan incliné dans la direction 1 empêche efficacement la génération de macles.

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