C - Chemistry – Metallurgy – 01 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
B
C01B 33/00 (2006.01) C30B 13/00 (2006.01) C30B 15/00 (2006.01)
Patent
CA 2548936
The present invention relates to silicon feedstock for producing directionally solidified silicon ingots, thin sheets and ribbons for the production of silicon wafers for PV solar cells where the silicon feedstock contains between 0.2 and 10 ppma boron and between 0.1 and 10 ppma phosphorus distributed in the material. The invention further relates to directionally solidified silicon ingot or thin silicon sheet or ribbon for making wafers for solar cells containing between 0.2 ppma and 10 ppma boron and between 0.1 ppma and 10 ppma phosphorus distributed in the ingot, said silicon ingot having a type change from p- type to n-type or from n-type to p-type at a position between 40 and 99 % of the ingot height or sheet or ribbon thickness and having a resistivity profile described by an exponential curve having a starting value between 0.4 and 10 ohm cm and where the resistivity value increases towards the type change point. Finally the invention relates to a method for producing silicon feedstock for producing directionally solidified silicon ingots, thin sheets and ribbons for the production of silicon wafers for PV solar cells.
La présente invention concerne une charge d'alimentation en silicium servant à produire des lingots de silicium à solidification directionnelle, des feuilles minces et des rubans destinés à la production de tranches pour cellules photovoltaïques. La charge d'alimentation en silicium contient entre 0,2 et 10 ppma de bore et entre 0,1 et 10 ppma de phosphore répartis dans le matériau. L'invention concerne également un lingot de silicium à solidification directionnelle, ou une feuille silicium mince ou un ruban destiné(e) à la production de tranches pour cellules photovoltaïques contenant entre 0,2 et 10 ppma de bore et entre 0,1 et 10 ppma de phosphore répartis dans le lingot. Ledit lingot peut changer de type et passer du type p au type n ou inversement, à une position située entre 40 et 99 % de la hauteur du lingot ou de l'épaisseur de la feuille ou du ruban, et présente un profil de résistivité représenté par une courbe exponentielle, dont la valeur de départ est comprise entre 0,4 et 10 ohm et la valeur de la résistivité augmente en direction du point de changement de type. L'invention concerne enfin un procédé de production d'une charge d'alimentation en silicium servant à produire des lingots de silicium à solidification directionnelle, des feuilles minces et des rubans destinés à la production de tranches pour cellules photovoltaïques.
Dethloff Christian
Enebakk Erik
Friestad Kenneth
Tronstad Ragnar
Zahedi Cyrus
Elkem Asa
Macrae & Co.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1986226