H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/306 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/762 (2006.01)
Patent
CA 2327421
A SiGe monocrystalline etch-stop material system on a monocrystalline silicon substrate. The etch-stop material system can vary in exact composition, but is a doped or undoped Si1-xGex alloy with x generally between 0.2 and 0.5. The etch-stop of the invention includes the use of a graded-composition buffer between the silicon substrate and the uniform SiGe etch-stop mateial. Nominally, the buffer has a linearly-changing composition with respect to thickness, from pure silicon at the substrate/buffer interface to a composition of germanium, and dopant if also present, at the buffer/etch-stop interface which can still be etched at an appreciable rate. Here, there is a strategic jump in germanium and concentration from the buffer side of the interface to the etch-stop material, such that the etch-stop layer is considerably more resistant to the etchant. The etch-stop is used for micromachining by aqueous anisotropic etchants of silicon such as potassium hydroxide, sodium hydroxide, litium hydroxide, ethylenediamine/pyrocatechol/pyrazine (EDP), TMAH, and hydrazine.
L'invention porte sur un système de matériau d'arrêt d'attaque chimique monocristallin au SiGe destiné à être utilisé sur un substrat de silicium monocristallin. La formulation précise de ce système de matériau d'arrêt d'attaque chimique peut varier, car ce système est un alliage Si¿1-x?Ge¿x? dans lequel x est généralement compris entre 0,2 et 0,5. Le procédé d'arrêt d'attaque chimique consiste à utiliser un tampon à formulation bien définie entre le substrat de silicium et le matériau uniforme d'arrêt d'attaque chimique au SiGe. La formulation du tampon varie principalement de manière linéaire par rapport à l'épaisseur, du silicium pur au niveau de l'interface substrat/tampon à une formulation de germanium et de dopant s'il y a, au niveau de l'interface tampon/arrêt d'attaque chimique qui peut toujours être attaquée à une vitesse importante. Il y a là une interruption importante de germanium et de concentration du côté tampon de l'interface au matériau d'arrêt d'attaque chimique de sorte que la couche d'arrêt d'attaque chimique soit plus résistante à l'agent d'attaque chimique. L'arrêt d'attaque chimique est utilisé dans le micro-usinage au moyen d'agents d'attaque chimique anisotropes aqueux de silicium tels que l'hydroxyde de potassium, l'hydroxyde de sodium, l'hydroxyde lithium, l'éthylènediamine/pyrocatéchol/pyrazine (EDP), TMAH et l'hydrazine.
Borenstein Jeffrey T.
Fitzgerald Eugene A.
Wu Kenneth C.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2050998