H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 33/00 (2010.01) H01L 27/15 (2006.01)
Patent
CA 2702002
A light emitting device (10) comprises a first body (12) of an indirect bandgap semiconductor material. A first junction region (18) in the body is formed between a first region (12.1) of the body of a first doping kind and a second region (12.2) of the body of a second doping kind. A second junction (20) region in the body is formed between the second region of the body and a third region of the body of the first doping kind. The first and second junction regions being spaced from one another by not further than a minority carrier diffusion length. A terminal arrangement is connected to the first, second and third regions of the body for, in use, reverse biasing the first junction region into avalanche or field emission mode and for forward biasing the second junction region to inject carriers into the first junction region. A second body (22) of an isolation material is located immediately adjacent at least one wall of the third region, thereby to reduce parasitic injection from the third region.
L'invention porte sur un dispositif électroluminescent (10) qui comprend un premier corps (12) d'un matériau semi-conducteur à bande interdite indirecte. Une première région de jonction (18) dans le corps est formée entre une première région (12.1) du corps d'un premier type de dopage et une deuxième région (12.2) du corps d'un second type de dopage. Une deuxième région de jonction (20) dans le corps est formée entre la deuxième région du corps et une troisième région du corps du premier type de dopage. Les première et deuxième régions de jonction sont espacées l'une de l'autre par pas plus d'une longueur de diffusion de porteurs minoritaires. Un agencement de bornes est connecté aux première, deuxième et troisième régions du corps pour, en utilisation, une polarisation inverse de la première région de jonction en mode d'avalanche ou d'émission de champ et pour une polarisation directe de la deuxième région de jonction pour injecter des porteurs dans la première région de jonction. Un second corps (22) d'un matériau isolant est localisé immédiatement adjacent à au moins une paroi de la troisième région, réduisant ainsi une injection parasite à partir de la troisième région.
Goudreau Gage Dubuc
Insiava (pty) Limited
LandOfFree
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