C - Chemistry – Metallurgy – 01 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
B
C01B 33/03 (2006.01)
Patent
CA 2576665
A silicon manufacturing apparatus capable of being stably operated over a long period by suppressing the deposition of silicon at the bottom end part of a reaction tube and those portions other than the inner surface of the reaction tube, wherein a reactant gases are led into the inside wall of the heated reaction tube to deposit silicon and the deposited silicon is taken out from the bottom end opening of the reaction tube. A first gas feed port (31) formed of an annular slit and feeding a seal gas and/or an etching gas toward the bottom part is formed on the outer peripheral side of the reaction tube (11) near the bottom part, and a second gas feed port (33) is formed at a position apart from the first gas feed port (31). Thus, the seal gas and/or the etching gas can be fed from the second gas feed port (33) toward the wall surface of a member in which the first gas feed port (31) is formed on the outer periphery of the first gas feed port (31).
Cette invention concerne un appareil de fabrication de silicium. Ledit appareil peut fonctionner de façon stable pendant une longue période grâce à la suppression du dépôt de silicium dans la partie de l~extrémité inférieure d~un tube de réaction et dans les portions autres que la surface intérieure du tube de réaction. Ledit appareil consiste à conduire des gaz réactifs dans la paroi intérieure du tube de réaction chauffé pour y déposer le silicium, puis à retirer le silicium déposé de l~ouverture de l~extrémité inférieure du tube de réaction. Un premier orifice d~alimentation en gaz (31) formé d~une fente annulaire et amenant un gaz d~étanchéité et/ou un gaz de gravure vers la partie inférieure est formé sur le côté périphérique externe du tube de réaction (11) près de la partie inférieure, et un second orifice d~alimentation en gaz (33) est formé à une position distincte de celle du premier orifice d~alimentation en gaz (31). Ainsi, le gaz d~étanchéité et/ou le gaz de gravure peuvent être amenés par le second orifice d~alimentation en gaz (33) vers la surface de la paroi d~un élément dans lequel le premier orifice d~alimentation en gaz (31) est formé sur la périphérie externe du premier orifice d~alimentation en gaz (31).
Nakashima Junichirou
Sugimura Shigeki
Wakamatsu Satoru
Macrae & Co.
Tokuyama Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1426422