C - Chemistry – Metallurgy – 01 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
B
C01B 33/03 (2006.01) C01B 33/107 (2006.01) C30B 25/02 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01)
Patent
CA 2432213
A silicon production process which improves the production efficiency of trichlorosilane while an industrially advantageous output is ensured and the amount of the by-produced tetrachlorosilane is suppressed. This process does not require a bulky reduction apparatus for the by-produced tetrachlorosilane,can construct a closed system, which is a self-supporting silicon production process, can easily control the amount of the by-produced tetrachlorosilane and therefore can adjust the amount of tetrachlorosilane to be supplied to a tetrachlorosilane treating system when the tetrachlorosilane treating system is used. This process comprises a silicon deposition step for forming silicon by reacting trichlorosilane with hydrogen at a temperature of 1,300°C or higher, a trichlorosilane forming step for forming trichlorosilane by contacting the exhausted gas in the above silicon deposition step to raw material silicon to react hydrogen chloride contained in the exhausted gas with silicon, and a trichlorosilane first recycling step for separating trichlorosilane from the exhausted gas in the trichlorosilane forming step and recycling it to the silicon deposition step.
L'invention concerne un procédé de production de silicium comprenant une étape de dépôt de silicium consistant à faire réagir du trichlorosilane avec de l'hydrogène à une température d'au moins 1300 DEG C, aux fins de formation de silicium, une étape de formation du trichlorosilane consistant à mettre en contact un gaz d'échappement, après la réaction au cours de l'étape de dépôt de silicium, avec un silicium brut, faisant ainsi réagir le chlorure d'hydrogène renfermé dans le gaz d'échappement avec le silicium brut, aux fins de formation du trichlorosilane, ainsi qu'une première étape de circulation du trichlorosilane consistant à séparer le trichlorosilane d'un gaz, après la réaction au cours de l'étape de formation du trichlorosilane, et à le faire circuler dans l'étape de dépôt de silicium. Le procédé permet d'obtenir un meilleur rendement, tout en garantissant une quantité de production avantageuse du point de vue industriel et en réduisant au maximum la quantité de tétrachlorosilane en sous-produit. Par conséquent, ce procédé ne nécessite pas d'appareil de réduction à grande échelle destiné au tétrachlorosilane en sous-produit, permettant ainsi d'obtenir un processus de production de silicium indépendant pouvant se présenter sous la forme d'un système fermé et pouvant réguler facilement la quantité de tétrachlorosilane en sous-produit.
Oda Hiroyuki
Wakamatsu Satoru
Smart & Biggar
Tokuyama Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1357117