B - Operations – Transporting – 01 – J
Patent
B - Operations, Transporting
01
J
B01J 8/24 (2006.01) C01B 33/029 (2006.01) C01B 33/03 (2006.01) C01B 33/035 (2006.01) F23C 10/20 (2006.01)
Patent
CA 2729980
Silicon deposits are suppressed at the wall of a fluidized bed reactor by a process in which an etching gas is fed near the wall of the reactor. The etching gas includes tetrachlorosilane. A Siemens reactor may be integrated into the process such that the vent gas from the Siemens reactor is used to form a feed gas and/or etching gas fed to the fluidized bed reactor.
Selon l'invention, les dépôts de silicium sont supprimés au niveau de la paroi d'un réacteur à lit fluidisé par un processus dans lequel un gaz de gravure est acheminé à proximité de la paroi du réacteur. Ce gaz de gravure contient du tétrachlorure de silicium. Un réacteur Siemens peut être intégré au processus de sorte que le gaz évacué par le réacteur Siemens soit utilisé pour former un gaz d'alimentation et/ou gaz de gravure acheminé vers le réacteur à lit fluidisé.
Gowling Lafleur Henderson Llp
Hemlock Semiconductor Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1855879