C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 29/20 (2006.01) C30B 15/34 (2006.01)
Patent
CA 2560998
Various single crystals are disclosed including sapphire. The single crystals have desirable geometric properties, including a width not less than about 15 cm and the thickness is not less than about 0.5 cm. The single crystal may also have other features, such as maximum thickness variation, and as-formed crystals may have a generally symmetrical neck portion, particularly related to the transition from the neck to the main body of the crystal. Methods and for forming such crystals and an apparatus for carrying out the methods are disclosed as well.
L'invention concerne divers monocristaux comprenant du saphir. Ces monocristaux présentent des propriétés géométriques souhaitées, y compris une largeur supérieure ou égale à environ 15 cm et une épaisseur supérieure à environ 0,5 cm. Le monocristal peut également présenter d'autres caractéristiques, telles qu'une variation d'épaisseur maximale, et les cristaux bruts de synthèse peuvent comporter une partie rétrécissement généralement symétrique, notamment en termes de transition entre le rétrécissement et le corps principal du cristal. L'invention concerne également des procédés destinés à former ces cristaux ainsi qu'un appareil destiné à la mise en oeuvre de ces procédés.
Bates Herbert Ellsworth
Locher John Walter
Maclean Ralph Lampson Jr.
Zanella Steven Anthony
Gowling Lafleur Henderson Llp
Saint-Gobain Ceramics & Plastics Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1802545