H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) H01S 5/02 (2006.01)
Patent
CA 2386329
A method of fabricating a gallium nitride-based semiconductor structure on a substrate includes the steps of forming a mask (14) having at least one opening (6) therein directly on the substrate (18), growing a buffer layer (12) through the opening, and growing a layer of gallium nitride (20) upwardly from the buffer layer and laterally across the mask. During growth of the gallium nitride from the mask, the vertical and horizontal growth rates of the gallium nitride layer are maintained at rates sufficient to prevent polycrystalline material (30) nucleating on said mask from interrupting the lateral growth of the gallium nitride layer. In an alternative embodiment, the method includes forming at least one raised portion (15) defining adjacent trenches (18) in the substrate and forming a mask (14) on the substrate (10), the mask having at least one opening (16) over the upper surface of the raised portion. A buffer layer (12) may be grown from the upper surface of the raised portion. The gallium nitride layer (26) is then grown laterally by pendeoepitaxy over the trenches.
Procédé de fabrication d'une structure de semi-conducteur à base de nitrure de gallium sur un substrat, ce qui consiste à créer un masque (14) possédant au moins une ouverture (6) directement sur le substrat (18), à effectuer la croissance d'une couche tampon (12) à travers l'ouverture et à effectuer la croissance d'une couche (20) de nitrure de gallium vers le haut depuis la couche tampon et dans un sens latéral à travers le masque. Pendant la croissance du nitrure de gallium à partir du masque, on maintient les vitesses de croissance verticale et horizontale de la couche de nitrure de gallium à des niveaux suffisants pour empêcher que la nucléation de matériaux polycristallins (30) sur ledit masque interrompe la croissance latérale de la couche de nitrure de gallium. Dans un autre mode de réalisation, ce procédé consiste à créer au moins une partie surélevée (15) définissant des tranchées contiguës (18) dans le substrat et à créer un masque (14) sur ce substrat (10), ce masque possédant au moins une ouverture (16) au-dessus de la surface supérieure de la partie surélevée. On peut effectuer la croissance d'une couche tampon (12) à partir de la surface supérieure de la partie surélevée. On effectue ensuite la croissance latérale de la couche (26) de nitrure de gallium par pendéoépitaxie au-dessus des tranchées.
Edmond John Adam
Emerson David Todd
Haberern Kevin Ward
Kong Hua-Shuang
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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