C - Chemistry – Metallurgy – 01 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
B
C01B 33/027 (2006.01) B01J 19/08 (2006.01) C01B 33/021 (2006.01) H05H 1/02 (2006.01)
Patent
CA 2725062
A method for producing silicon or a reactive metal is disclosed herein that includes: introducing a silicon-bearing feed or reactive metal-bearing feed into a reactor chamber, wherein the reactor chamber includes a reactor chamber wall having (i) an inside surface facing a reaction space and (ii) an opposing outside surface; generating a first thermal energy within the reaction space sufficient to generate a liquid silicon product or a liquid reactive metal product; generating a second thermal energy exterior to the reactor chamber wall such that a heat flow from the second thermal energy initially impacts the outside surface of the reac-tor chamber wall; and establishing an inside surface wall temperature within a temperature range that is above or below a melting point temperature of the silicon or the reactive metal by controlling the first thermal energy source and the second thermal energy source.
L'invention porte sur un procédé pour produire du silicium ou un métal réactif, lequel procédé comprend : l'introduction d'une charge d'alimentation en silicium ou d'une charge d'alimentation en métal réactif à l'intérieur d'une chambre de réacteur, la chambre de réacteur comprenant une paroi de chambre de réacteur ayant (i) une surface intérieure tournée vers un espace de réaction et (ii) une surface extérieure opposée ; la génération d'une première énergie thermique à l'intérieur de l'espace de réaction, suffisante pour générer un produit de silicium liquide ou un produit de métal réactif liquide ; la génération d'une seconde énergie thermique extérieure à la paroi de chambre de réacteur de telle sorte qu'un flux de chaleur provenant de la seconde énergie thermique impacte initialement la surface de sortie de la paroi de chambre de réacteur ; et l'établissement d'une température de paroi de surface intérieure dans une plage de température qui est au-dessus ou au-dessous d'une température de point de fusion du silicium ou du métal réactif, par la commande de la première source d'énergie thermique et de la seconde source d'énergie thermique.
Hugo Franz
Rec Silicon Inc.
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1471139