Solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and...

H - Electricity – 01 – L

Patent

Rate now

  [ 0.00 ] – not rated yet Voters 0   Comments 0

Details

H01L 31/20 (2006.01) H01L 31/0376 (2006.01) H01L 31/048 (2006.01) H01L 31/068 (2012.01) H01L 31/078 (2012.01) H01L 31/0216 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01)

Patent

CA 2716402

A thin silicon solar cell is described. Specifically, the solar cell may be fabricated from a crystalline silicon wafer having a thickness of approximately 50 micrometers to 500 micrometers. The solar cell comprises a first region having a p-n homojunction, a second region that creates heterojunction surface passivation, and a third region that creates heterojunction surface passivation. Amorphous silicon layers are deposited on both sides of the silicon wafer at temperatures below approximately 400 degrees Celsius to reduce the loss of passivation properties of the amorphous silicon. A final layer of transparent conductive oxide is formed on both sides at approximately 165 degrees Celsius. Metal contacts are applied to the transparent conductive oxide. The low temperatures and very thin material layers used to fabricate the outer layers of used to fabricate the outer layers of the solar cell protect the thin wafer from excessive stress that may lead to deforming the wafer.

Cette invention concerne une cellule solaire mince au silicium. Spécifiquement, cette cellule solaire peut être réalisée à partir d'une tranche de silicium cristallin dont l'épaisseur est comprise entre 50 et 500 microns, approximativement. La cellule solaire comprend une première région à homojonction p-n, une deuxième région créant une passivation de surface par hétérojonction et une troisième région créant une passivation de surface par hétérojonction. Des couches de silicium amorphe sont déposées de part et d'autre de la tranche de silicium à des températures inférieures à 400°C environ de manière à réduire la perte des propriétés de passivation du silicium amorphe. Une couche finale d'oxyde conducteur transparent est formée sur les deux côtés à une température d'environ 165° Celsius. Des contacts en métal sont appliqués sur l'oxyde conducteur transparent. L'emploi de basses températures et de couches de matériau très minces pour la fabrication des couches extérieures de la cellule solaires permet de protéger la mince tranche contre des efforts excessifs qui pourraient la déformer.

LandOfFree

Say what you really think

Search LandOfFree.com for Canadian inventors and patents. Rate them and share your experience with other people.

Rating

Solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and... will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

     

Profile ID: LFCA-PAI-O-2076048

  Search
All data on this website is collected from public sources. Our data reflects the most accurate information available at the time of publication.