H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/0272 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01) H01L 51/42 (2006.01)
Patent
CA 2736450
Improved photovoltaic devices and methods are disclosed. In one embodiment, an exemplary photovoltaic device includes a semiconductor layer and a light-responsive layer (which can be made, for example, of a semiconductor material) which form a junction, such as a p-n junction. The light-responsive layer can include a plurality of carbon nanostructures, such as carbon nanotubes, located therein. In many cases, the carbon nanostructures can provide a conductive pathway within the light-responsive layer. In another embodiment, an exemplary photovoltaic device can include a light- responsive layer made of a semiconductor material in which is embedded a plurality of semiconducting carbon nanostructures (such as p-type single-wall carbon nanotubes). The interfaces between the semiconductor material and the semiconducting carbon nanostructures can form p-n junctions. In yet other embodiments, exemplary photovoltaic devices include semiconductor nanostructures, which can take a variety of forms, in addition to the carbon nanostructures. Further embodiments include a wide variety of other configurations and features. Methods of fabricating photovoltaic devices, as well as nanostructured photodetectors, as also disclosed.
Linvention concerne des dispositifs photovoltaïques améliorés ainsi que des procédés associés. Dans un mode de réalisation, un dispositif photovoltaïque cité comme exemple comprend une couche semi-conductrice et une couche sensible à la lumière (qui peut par exemple se composer dun matériau semi-conducteur) qui définissent une jonction, comme une jonction p-n. La couche sensible à la lumière peut comprendre en son intérieur une pluralité de nanostructures en carbone, comme des nanotubes de carbone. Dans de nombreux cas, les nanostructures de carbone peuvent former un trajet conducteur dans la couche sensible à la lumière. Dans un autre mode de réalisation, un dispositif photovoltaïque donné à titre dexemple peut comprendre une couche sensible à la lumière faite dun matériau semi-conducteur qui est noyé dans une pluralité de nanostructures de carbone semi-conductrices (comme des nanotubes de carbone à paroi unique de type p). Les interfaces entre le matériau semi-conducteur et les nanostructures de carbone semi-conductrices peuvent définir des jonctions p-n. Dans dautres modes de réalisation, des dispositifs photovoltaïques donnés comme exemple comprennent des nanostructures semi-conductrices qui peuvent prendre diverses formes, en plus des nanostructures en carbone. Dautres modes de réalisation présentent une grande diversité de configurations et de caractéristiques. Linvention concerne également des procédés de fabrication de dispositifs photovoltaïques, ainsi que des photodétecteurs nanostructurés.
Mbm Intellectual Property Law Llp
Vanguard Solar Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1379355