G - Physics – 01 – F
Patent
G - Physics
01
F
G01F 1/684 (2006.01) G01F 1/688 (2006.01) G01F 1/692 (2006.01)
Patent
CA 2702049
The invention is a solid state microanemometer and a method of making thereof. Specifically, the invention relates to a microanemometer including an electrically conductive resistor in the form of a semiconductor wafer doped with an impurity having an upper surface, a lower surface having a peripheral edge; a substrate bonded to the semiconductor wafer having an upper surface, a cavity having a peripheral edge and a peripheral margin defined on the upper surface and bounded by the peripheral edge of the cavity wherein the lower surface of the semiconductor wafer rests on and is supported by at least part of the peripheral edge of the cavity such that the semiconductor wafer is over the cavity; and a means for electrically connecting the resistor to a current source. The microanemometer also includes a plurality of metal conductors in contact with the resistor. The semiconductor wafer has sloped sidewalls and the metal conductors are placed on sloped sidewalls of the wafer to effectively increase available active area of the resistor.
Microanémomètre à semi-conducteurs et procédé de fabrication. Spécifiquement, microanémomètre à résistance conductrice sous forme de tranche à semi-conducteurs dopée avec une impureté à surface supérieure, et surface inférieure à bordure périphérique; substrat lié à cette tranche ayant une surface supérieure, une cavité à bordure périphérique et marge périphérique définie sur la surface supérieure et délimitée par la bordure périphérique de la cavité, sachant que la surface inférieure de la tranche repose sur et est soutenue par au moins une partie de la bordure périphérique de sorte que ladite tranche soit superposée à la cavité; et système de connexion électrique entre la résistance et une source de courant. Le microanémomètre comprend aussi plusieurs conducteurs métalliques en contact avec la résistance. Ladite tranche présente des parois inclinées et les conducteurs métalliques sont placés sur les parois inclinées de la tranche pour augmenter efficacement la zone active disponible de la résistance.
Jewett Warren R.
Plowman Thomas E.
Memsys Inc.
Nelligan O'brien Payne Llp
LandOfFree
Solid state microanemometer device and method of fabrication does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Solid state microanemometer device and method of fabrication, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Solid state microanemometer device and method of fabrication will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-2061647