G - Physics – 06 – N
Patent
G - Physics
06
N
G06N 99/00 (2010.01)
Patent
CA 2438871
Semiconductor dot devices include a multiple layer semiconductor structure having a substrate, a back gate electrode layer, a quantum well layer, a tunnel barrier layer between the quantum well layer and the back gate, and a barrier layer above the quantum well layer. Multiple electrode gates are formed on the multi-layer semiconductor with the gates spaced from each other by a region beneath which quantum dots may be defined. Appropriate voltages applied to the electrodes allow the development and appropriate positioning of the quantum dots, allowing a large number of quantum dots be formed in a series with appropriate coupling between the dots.
L'invention concerne des dispositifs à points quantiques semiconducteurs présentant une structure semiconductrice multicouches constituée d'un substrat, d'une couche électrode de grille arrière, d'une couche de puits quantiques, d'une couche barrière de tunnel disposée entre la couche de puits quantiques et la grille arrière, et d'une couche barrière disposée au-dessus de la couche de puits quantiques. Des grilles électrodes multiples sont formées sur le semiconducteur multicouches, les grilles étant espacées les unes des autres par une zone en dessous de laquelle des points quantiques peuvent être définis. Des tensions appropriées appliquées aux électrodes permettent le développement et un placement approprié des points quantiques, ce qui permet à un grand nombre de points quantiques d'être formés en série et de présenter un couplage approprié entre eux.
Eriksson Mark A.
Friesen Mark G.
Joynt Robert J.
Lagally Max G.
Rugheimer Paul
Borden Ladner Gervais Llp
Wisconsin Alumni Research Foundation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1749984