Soluble thrombomodulin-containing composition

A - Human Necessities – 61 – K

Patent

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Details

A61K 38/36 (2006.01) A61K 9/19 (2006.01) A61K 47/18 (2006.01) A61K 47/26 (2006.01) A61P 7/02 (2006.01) C07K 14/745 (2006.01)

Patent

CA 2156255

The present invention is directed to a soluble thrombomodulin-containing composition comprising at least one molecular species of soluble thrombomodulin, and at least one member selected from the group consisting of maltose, lactose, sucrose, arginine and a salt thereof, and a nonionic surface-active agent; and a production method therefor; as well as a stabilizing agent; a stabilization method; an anti-adsorption agent; and an anti-adsorption method for the soluble thrombomodulin. The present invention provides a soluble thrombomodulin-containing lyophilized preparation which is useful as a prophylactic or therapeutic agent for diseases associated with abnormalities in blood coagulation, and which is stable for a prolonged period of time and would not become adsorbed onto the container; and a production method therefor; as well as a stabilization agent; a stabilization method; an anti-adsorption agent; and an anti-adsorption method for the soluble thrombomodulin.

L'invention a pour objet un dispositif à semi-conducteur pouvant stocker des données, lorsqu'une puce CI a été produite, et pouvant présenter une grande vitesse d'extraction, similaire à celle des ROM à intégration à très grande échelle. Ledit dispositif à semi-conducteur comprend au moins un élément semi-conducteur composé d'une première et d'une seconde zone conductrice, l'une ou bien les deux étant réalisées en métal, ainsi que d'une zone semi-conductrice de résistance élevée, insérée entre la première et la seconde zone conductrice. On fournit un courant à la zone semi-conductrice de résistance élevée par l'intermédiaire de la première et de la seconde zone conductrice, et/ou on applique de la chaleur provenant d'une source extérieure de sorte que la réaction ait lieu entre la zone conductrice métallique, c'est-à-dire soit la première soit la seconde zone, et la zone de résistance élevée, afin d'obtenir un composant semi-conducteur métallique présentant une faible résistance.

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