Spacers for cells having spaced opposed substrates

Details Spacers for cells having spaced opposed substrates Spacers for cells having spaced opposed substrates

G - Physics

02

F

G02F 1/1339 (2006.01) G02F 1/1362 (2006.01) G02F 1/1335 (2006.01) G02F 1/141 (2006.01)

Patent

CA 2353495

In an active semiconductor backplane for a liquid crystal spatial light modulator, spacers (25) which are distributed over the backplane extend above an array of electrical and/or electronic elements and comprise at least two layers essentially of the same material and occuring in the same order as is found in at least one of the electrical or electronic elements, such as an NMOS transistor (52). The latter is formed from a stack of layers on a silicon substrate (51) comprising polysilicon (56), continuous silicon oxide (57) modified to include gate oxide GOX (55), metallic gate electrode (59), continuous silicon oxide (58) and a metallic drain electrode (60) which is coupled to a spaced mirror electrode over the layer (58). Likewise, spacer (25) comprises the layers (57 and 58) with metallic (67, 68) deposited simultaneously with electrodes (59, 60). The foot of layer (57) is differently modified to include field oxide layer (69) and polysilicon layers (70, 72) spaced by thin oxide (71). Spacers (25) are located regularly within the array of transistors (25)/mirrors (65) and also about the array.

L'invention concerne des éléments d'espacement (25) distribués sur la face arrière d'un semi-conducteur actif pour modulateur spatial de lumière à cristaux liquides, qui s'étendent au-dessus d'un réseau d'éléments électriques et/ou électroniques, et comportent au moins deux couches essentiellement du même matériau et dans le même ordre que pour au moins l'un des éléments électriques ou électroniques, tel qu'un transistor à canal N (52). Ce dernier est constitué d'un empilement de couches sur un substrat de silicium (51) comprenant du silicium polycristallin (56), de la silice continue (57) modifiée pour inclure un oxyde de grille GOX (55), une gâchette métallique (59), de la silice continue (58) et une électrode de drain métallique (60) couplée à une électrode de miroir espacée sur la couche (58). De même, l'élément d'espacement (25) comprend les couches (57, 58), ainsi que des pellicules métalliques déposées simultanément à l'aide d'électrodes (59, 60). La base de la couche (57) est modifiée de manière différente afin d'inclure la couche d'oxyde (69) et les couches en silicium polycristallin (70, 72), espacées par une couche mince d'oxyde. Les éléments d'espacement (25) sont distribués régulièrement au sein du réseau de transistors (25) ou de miroirs (65), mais également autour de ces réseaux.

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