H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/032 (2006.01) H01L 31/0336 (2006.01) H01L 31/0352 (2006.01)
Patent
CA 2540723
The invention relates to a spherical or grain-shaped semiconductor element for use in solar cells and to a method for producing said semiconductor element. The invention also relates to a solar cell comprising an integrated spherical semiconductor element, to a method for producing said solar cell and to a photovoltaic module comprising at least one solar cell. The semiconductor element is characterized in that a back contact layer and a I-III-VI compound semiconductor are deposited on a spherical or grain-shaped substrate core. The I-III-VI compound semiconductor is produced by applying precursor layers and subsequent selenization or sulfurization. For producing a solar cell, a plurality of the inventive semiconductor elements is introduced into a substrate layer from which they project on at least one face thereof. The substrate layer is stripped on one side, thereby exposing the back contact layer of most of the semiconductor elements. This back contact layer can be contacted to the back contact of the solar cell while a front contact is provided on the side of the semiconductor elements that was not stripped.
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur sphérique ou en forme de grain destiné à être utilisé dans des cellules solaires, ainsi qu'un procédé de production de ce dispositif à semi-conducteur. Cette invention se rapporte également à une cellule solaire dans laquelle sont intégrés des dispositifs à semi-conducteur sphériques, à un procédé de production de cette cellule solaire, ainsi qu'à un module photovoltaïque comportant au moins une cellule solaire. Le dispositif à semi-conducteur selon l'invention est caractérisé en ce qu'une couche de contact de repos et une couche à semi-conducteur composé I-III-VI sont déposées sur un noyau de substrat sphérique ou en forme de grain. Le semi-conducteur composé I-III-VI est produit au moyen d'un procédé consistant à appliquer une couche précurseur, puis à effectuer une sélénisation ou une sulfuration. Pour produire une cellule solaire, plusieurs de ces dispositifs à semi-conducteur sont introduits dans une couche support de manière à faire saillie par rapport à celle-ci d'au moins un côté. La couche support est usée sur un côté, de façon à exposer la couche de contact de repos de la majeure partie des dispositifs à semi-conducteur. Cette couche de contact de repos peut être mise en contact avec un contact de repos de la couche solaire, tandis qu'un contact de travail est appliqué sur le côté des dispositifs à semi-conducteur n'ayant pas subi d'usinage.
Geyer Volker
Kaas Patrick
Scheuten Jaques
Battison Williams Dupuis
Scheuten Glasgroep
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1806666