Spin transfer torque magnetoresistive random access memory...

Details Spin transfer torque magnetoresistive random access memory... Spin transfer torque magnetoresistive random access memory...

G - Physics

11

C

G11C 11/16 (2006.01)

Patent

CA 2680752

Systems, circuits and methods for determining read and write voltages for a given word line transistor in Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory (STT-MRAM) are disclosed. A first voltage can be supplied to the write operations so that the write operations occur in the saturation region (454) of the word line transistor. A second voltage, which is less than the first voltage, can be supplied for read operations so that the read operations occur in the linear region (452) of the word line transistor.

L'invention concerne des systèmes, des circuits et des procédés pour déterminer des tensions de lecture et d'écriture pour un transistor de ligne de mot donné dans une mémoire vive magnétorésistive à couple de transfert de spin (STT-MRAM). Une première tension peut être appliquée aux opérations d'écriture de telle sorte que les opérations d'écriture se produisent dans la région de saturation (454) du transistor de ligne de mot. Une seconde tension, qui est inférieure à la première tension, peut être appliquée pour des opérations de lecture de telle sorte que les opérations de lecture se produisent dans la région linéaire (452) du transistor de ligne de mot.

Affiliated with

Also associated with

Rating

Spin transfer torque magnetoresistive random access memory... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Spin transfer torque magnetoresistive random access memory..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Spin transfer torque magnetoresistive random access memory... will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

Comments { 0 }

Profile ID: LFCA-PAI-O-1415200