H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/3065 (2006.01) H01J 37/32 (2006.01)
Patent
CA 2213771
Apparatus (10) for sputter etching a substrate (14) includes a processing chamber (16) with a plasma source (24) coupled to the top of the processing chamber (16) to seal the chamber and create a plasma therein. The plasma source (24) comprises a dielectric plate (30) having a generally centered pocket (40) with a concave outer surface (43) and a convex inner surface (41) which physically extends into the processing chamber (16) toward a substrate (14). An inductive coil (42) is positioned outside the chamber (16) generally inside the pocket (40) and adjacent the concave surface (43) and is preferably contoured to conform to the concave outer surface (42) to form an inductive source relative to the substrate (14). The contoured inductive coil (42) couples energy through the pocket (40) to create a high density uniform plasma of ionized particles proximate a substrate (14) in the chamber (16).
Un appareil (10) conçu pour attaquer chimiquement par pulvérisation un substrat (14), comprend une chambre de traitement (16) accouplée, en son sommet, à une source de plasma (24) de sorte qu'elle soit fermée hermétiquement et qu'un plasma y soit créé. La source de plasma (24) comprend une plaque diélectrique (30) dotée d'une poche généralement centrée (40) à surface extérieure concave (43) et à surface interne convexe (41) s'étendant physiquement dans la chambre de traitement (16) vers un substrat (14). Une bobine inductive (42) est placée à l'extérieur de la chambre (16), généralement à l'intérieur de la poche (40) et à proximité de la surface concave (43), et est, de préférence, configurée de sorte qu'elle épouse la forme de la surface externe concave (42) et forme une source inductive par rapport au substrat (14). La bobine inductive ainsi configurée (42) fait passer l'énergie à travers la poche (40) pour créer un plasma uniforme de haute densité de particules ionisées à proximité d'un substrat (14) dans la chambre (16).
Gowling Lafleur Henderson Llp
Materials Research Corporation
Tokyo Electron Limited
LandOfFree
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