C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 14/34 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) H01J 37/34 (2006.01)
Patent
CA 2218279
A sputtering system (50) using an AC power supply (59) in the range of 10 kHz to 100 kHz uses two rotatable cylindrical magnetrons (60, 62). The rotatable cylindrical magnetrons (60, 62), when used for depositing a dielectric layer onto a substrate (80), clean off dielectric material that is deposited onto the target (64, 65). This prevents a dielectric layer on the target (64, 65) from acting like a capacitor and may help avoid arcing. Additionally, an impedance-limiting capacitor (58) can be placed in series in the electrical path between the targets (64, 65) through the transformer (54) so as to reduce arcing. This impedance-limiting capacitor (58) has a value much larger than the capacitor used to couple the power supply (59) to a target (64, 65) in radio frequency sputtering systems.
Système de pulvérisation (50) alimenté par une source de courant alternatif (59) dans la gamme de fréquence 10 kHz-100 kHz, comportant deux magnétrons cylindriques rotatifs (60, 62). Les magnétrons cylindriques rotatifs (60, 62), lorsqu'ils sont utilisés pour le dépôt d'une couche de diélectrique sur un substrat (80) enlèvent le diélectrique déposé sur la cible (64, 65), ce qui empêche la couche de diélectrique sur la cible (64, 65) d'agir comme un condensateur, et peut contribuer à éviter l'amorçage. De plus, un condensateur limiteur d'impédance (58) peut être placé en série sur le trajet électrique entre les cibles (64, 65) passant par le transformateur (54), de façon à réduire le risque d'amorçage. Ce condensateur limiteur d'impédance (58) a une capacité beaucoup plus élevée que le condensateur utilisé pour coupler l'alimentation électrique (59) à une cible (64,65) dans les systèmes de pulvérisation à radiofréquences.
Byorum Henry
Hill Russell J.
Lehan John
Rough J. Kirkwood
Gowling Lafleur Henderson Llp
The Boc Group Inc.
LandOfFree
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