Sputtering target with slow-sputter layer under target material

Details Sputtering target with slow-sputter layer under target material Sputtering target with slow-sputter layer under target material

H - Electricity

01

J

H01J 37/34 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01) C23C 14/50 (2006.01)

Patent

CA 2611345

Certain example embodiments of this invention relate to a sputtering target(s) for use in sputtering material(s) onto a substrate. In certain example embodiments, the target includes a cathode tube with a slow sputtering material applied thereto prior to application of the target material to be sputtered onto the substrate. Because the slow sputtering material is located between the cathode tube and the material to be sputtered, the likelihood of burn-through can be reduced. In certain instances, target utilization and/or lifetime may be increased. In certain other example embodiments, a non- conductive layer may be provided proximate end portion(s) of the target between the cathode tube and the target material in order to reduce or prevent sputtering of material once the target material has been sputtered off such portion(s).

Dans certains modes de réalisation, la présente invention a trait à une/des cible(s) de pulvérisation cathodique destinée(s) à être utilisée(s) dans un/des matériau(x) sur un substrat. Dans certains modes de réalisation représentatifs, la cible comporte un tube cathodique avec un matériau à pulvérisation cathodique lente appliqué sur celle-ci préalablement à l'application du matériau cible à être soumis à la pulvérisation cathodique sur le substrat. Etant donné que le matériau à pulvérisation cathodique lente se trouve entre le tube cathodique et le matériau à être soumis à la pulvérisation cathodique, la probabilité de brûlure perforante peut être réduite. Dans certains cas, l'utilisation et/ou la durée de vie de la cible peut être accrue. Dans certains autres modes de réalisation représentatifs, une couche non conductrice peut être prévue à proximité de la/des portion(s) d'extrémité de la cible entre le tube cathodique et le matériau cible en vue de réduire ou empêcher la pulvérisation cathodique du matériau une fois que le matériau cible a été pulvérisé hors de cette/ces portion(s).

Affiliated with

Also associated with

Rating

Sputtering target with slow-sputter layer under target material does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Sputtering target with slow-sputter layer under target material, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Sputtering target with slow-sputter layer under target material will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

Comments { 0 }

Profile ID: LFCA-PAI-O-2019515