Stacked organic photosensitive devices

Details Stacked organic photosensitive devices Stacked organic photosensitive devices

H - Electricity

01

L

H01L 51/42 (2006.01) H01L 51/46 (2006.01)

Patent

CA 2575776

A device is provided having a first electrode, a second electrode, a first photoactive region having a characteristic absorption wavelength .lambda.1 and a second photoactive region having a characteristic absorption wavelength .lambda.2. The photoactive regions are disposed between the first and second electrodes, and further positioned on the same side of a reflective layer, such that the first photoactive region is closer to the reflective layer than the second photoactive region. The materials comprising the photoactive regions may be selected such that .lambda.1 is at least about 10% different from .lambda.2. The device may further comprise an exciton blocking layer disposed adjacent to and in direct contact with the organic acceptor material of each photoactive region, wherein the LUMO of each exciton blocking layer other than that closest to the cathode is not more than about 0.3 eV greater than the LUMO of the acceptor material.

L~invention porte sur un dispositif ayant une première électrode, une seconde électrode, une première région photoactive ayant une longueur d~onde d~absorption caractéristique .lambda.1 et une seconde région photoactive ayant une longueur d~onde d~absorption caractéristique .lambda.2. Les régions photoactives sont disposées entre la première et la seconde électrodes, et positionnées en outre sur le même côté d~une couche réfléchissante, de telle sorte que la première région photoactive est plus proche de la couche réfléchissante que la seconde région photoactive. Les matériaux comprenant les régions photoactives peuvent être sélectionnés pour que .lambda.1 diffère d~au moins environ 10% de .lambda.2. Le dispositif peut en outre comprendre une couche de blocage d~excitons adjacente à et au contact direct du matériau accepteur organique de chaque région photoactive, où le LUMO de chaque couche de blocage d~excitons autre que celui le plus proche de la cathode ne dépasse pas de plus de 0,3 eV environ le LUMO du matériau accepteur.

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