H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/26 (2006.01) G01K 1/14 (2006.01) G01K 7/02 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
Patent
CA 2574116
The temperature of a processing object having a high infrared ray transmittance is measured in an erosive gas by filling a chamber provided with a lamp heater with the erosive gas. A groove is provided on a stage for locking one piece of silicon wafer substrate mounted on an upper part of the lamp heater or on an enclosure made of quartz and the like on a light emitting open part side of the lamp heater, so as to provide a structure wherein a thermocouple to be embedded is not brought into contact with the erosive gas. A material equivalent to the processing object, namely, a silicon wafer substrate piece, is adhered on the thermocouple. At the time of measuring the temperature, a difference between a measured temperature value of the silicon wafer substrate which is to be measured and is placed on a stage surface and that of the silicon wafer substrate piece is previously measured, and a heat capacity difference between the silicon wafer substrate and the silicon wafer substrate piece is corrected. The temperature of the silicon wafer substrate can be measured by such apparatus and the method.
Selon l'invention, on mesure la température d'un objet traité ayant une transmittance de rayon infrarouge élevée dans un gaz érosif, on remplit une chambre équipée d'un radiateur de lampe de ce gaz érosif. Un étage est pourvu d'une rainure permettant de verrouiller une pièce de substrat de plaque de silicium montée sur une partie supérieure du radiateur de lampe, de façon à créer une structure dans laquelle un thermocouple destiné à être intégré n'est pas mis en contact avec le gaz érosif. Un matériau équivalent à l'objet traité, à savoir une pièce de substrat de plaque de silicium, est collé sur le thermocouple. Au moment où la température est mesurée, une différence entre une valeur de température mesurée du substrat de plaque de silicium destiné à être mesuré et placé sur une surface de l'étage et la valeur de la pièce de substrat de plaque de silicium est mesurée et une différence de capacité thermique entre le substrat de plaque de silicium et la pièce de substrat de plaque de silicium est corrigée. La température du substrat de plaque de silicium peut être mesurée au moyen de cet appareil et de ce procédé.
Asano Kazuo
Murakami Yukihiro
Okamoto Ryuji
Icf Inc.
Intellectual Property Bank Corp.
Smart & Biggar
T.p.s. System Co. Ltd.
LandOfFree
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