H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 3/06 (2006.01) H01S 5/183 (2006.01) H01S 5/187 (2006.01) H01S 5/30 (2006.01) H01S 5/34 (2006.01) H01S 5/343 (2006.01) H01S 5/40 (2006.01) H01S 5/42 (2006.01)
Patent
CA 2189158
Semiconductor lasers (10) utilize strain-compensated multiple quantum wells (20) to increase gain in long wavelength (1.3 and 15 microns) devices. The strain-compensated quantum well structures (18) contain a plurality of strained well (20) and barrier (22) layers, where the barrier layers (22) are placed under a strain equal and opposite to that of the well layers (20). As a result, the normal thickness restriction on strained layers is lifted. In addition, the well layers are p-doped to further increase optical gain. Another embodiment uses strain-compensated multiple quantum wells in a grating-coupled laser (100 and 120). Because of the increased gain of the strain- compensated quantum well structure, the grating can made on the surface of the laser with a strong light coupling characteristic, allowing simpler fabrication and shorter length of the laser.
Laser semi-conducteur (10) utilisant plusieurs puits quantiques (20) à contrainte compensée pour augmenter le gain dans des dispositifs à grande longueur d'onde (1,3 et 1,5 microns). Les structures (18) de puits quantiques à contrainte compensée contiennent une pluralité de couches de puits contraintes (20) et de couches d'arrêt contraintes (22), ces dernières (22) étant soumises à une contrainte égale et opposée à celle des couches de puits (20). Ceci a pour effet de relever la restriction relative à l'épaisseur normale des couches contraintes. En outre, les couches de puits sont dopées avec un dopage p pour augmenter encore plus le gain optique. Dans une autre forme de réalisation, on intègre dans un laser (100 et 102) couplé à un réseau de diffraction une pluralité de puits quantiques à contrainte compensée. Grâce au gain accru de la structure de puits quantique à contrainte compensée, on peut réaliser le réseau de diffraction sur la surface du laser avec une caractéristique de fort couplage de la lumière, ce qui permet de simplifier la fabrication et de raccourcir la longueur du laser.
Borden Ladner Gervais Llp
Cornell Research Foundation Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2080582