Strontium bismuth niobate tantalate ferroelectric thin film

Details Strontium bismuth niobate tantalate ferroelectric thin film Strontium bismuth niobate tantalate ferroelectric thin film

H - Electricity

01

L

H01L 21/316 (2006.01) G11C 11/56 (2006.01) H01L 21/3205 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) H01L 29/92 (2006.01)

Patent

CA 2281763

A thin film ferroelectric material (500) for use in integrated memory circuits (300, 400), such as FERAMS (300) and the like, contains strontium bismuth niobium tantalate having an empirical formula SrBi2+E(NbXTa2-X)O9+3E/2, wherein E is a number representing an excess amount of bismuth ranging from zero to 2; and X is a number representing an excess amount of niobium ranging from 0.01 to 0.9. A method of operating a ferroelectric memory cell (400) including providing such a material having the foregoing formula in a first polarization state, subjecting the thin film ferroelectric material in the first polarization state to a plurality of unidirectional voltage pulses; and thereafter switching the ferroelectric material to a second polarization state essentially free of imprint from the plurality of unidirectional voltage pulses.

L'invention concerne un matériau ferroélectrique en couche mince (500) à utiliser dans des circuits de mémoire intégrés (300, 400), tels que les mémoires RAM ferroélectriques (300) et similaire, qui contient du strontium bismuth niobium tantalate de formule empirique SrBi¿2+E?(Nb¿X?Ta¿2-X?)O¿9+3E/2?, où E est un nombre représentant un excédent de bismuth de l'ordre de 0 à 2; et X est un nombre représentant un excédent de niobium de l'ordre de 0,01 à 0,9. L'invention porte aussi sur un procédé d'utilisation d'une cellule mémoire ferroélectrique (400), qui consiste à produire ce type de matériau de la formule précédente dans un premier état de polarisation, à soumettre le matériau ferroélectrique en couche mince dans le premier état de polarisation à plusieurs impulsions de tension monodirectionnelles et à faire passer ledit matériau électrique dans un deuxième état de polarisation dans lequel il est sensiblement exempt de toute empreinte laissée par les impulsions de tension monodirectionnelles.

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