G - Physics – 03 – F
Patent
G - Physics
03
F
G03F 1/14 (2006.01) G03F 1/00 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
Patent
CA 2061622
Expedient fabrication of phase masks providing for many values of phase delay for exiting pattern delineating radiation depends upon a two-step procedure. Such masks offer improvement in ultimate device fabrication relative to that offered by prior binary-valued masks. In the first step, which may be carried out coincident with introduction of device feature information, apertures of appropriate size and distribution are produced in the relevant mask layer; in the second step material surrounding such apertures is heated to result in backflow-filling. Theconsequential layer thinning is such as to introduce the desired local change in phase delay.
La fabrication pratique de masques de phase offrant plusieurs valeurs de retard de phase pour le rayonnement émis avec formation de motifs dépend d'une méthode en deux étapes. De tels masques apportent une amélioration dans la fabrication des meilleurs dispositifs par rapport à ce qui existait jusque-là dans le domaine des masques à valeur binaire. Lors de la première étape, qui peut se dérouler en coïncidence avec l'introduction d'information sur les caractéristiques du dispositif, on produit des ouvertures de dimension et distribution appropriées dans la couche pertinente du masque; lors de la deuxième étape, on chauffe les ouvertures produites pour causer un remplissage par reflux. L'amincissement résultant de la couche est tel qu'il introduit le changement local souhaité dans le retard de phase.
American Telephone And Telegraph Company
Kirby Eades Gale Baker
LandOfFree
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