G - Physics – 03 – F
Patent
G - Physics
03
F
G03F 1/14 (2006.01) G03F 1/00 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
Patent
CA 2061624
Fabrication of integrated circuits - electronic, photonic or hybrid - permits attainment of higher device density. Pattern delineation with smaller design rules than previously associated with delineating radiation of given wavelength is the consequence of use of phase masks. Compared with earlier used, binary valued phase masks, the multiple values of those on which this fabrication depends permits improved effectiveness in lessening of edge-smearing radiation of consequence (of diffraction-scattered delineating radiation at feature edges). Phase masking mayprovide, as well, for feature generation by interference, and for reduced intensity of unwanted image hot spots by diffraction.
La présente invention est une méthode de fabrication de circuits intégrés qui permet d'atteindre des densités d'intégration plus élevées que les méthodes actuelles, que ces circuits soient électroniques, photoniques ou hybrides. L'utilisation de masques de phase permet de réaliser la délimitation des configurations avec des échelles plus fines que celles utilisées jusqu'ici avec la délimitation au moyen d'un rayonnement. Comparativement aux masques de phase antérieurs à valeurs binaires, la multiplicité de valeurs des masques utilisés dans la présente invention permet de réduire l'étalement des bords par le rayonnement (étalement résultant de la diffraction du rayonnement utilisé pour la délimitation). L'utilisation de ces masques de phase pourrait également permettre de créer des configurations par interférence et de réduire l'intensité des taches produites par diffraction dans les images.
American Telephone And Telegraph Company
Kirby Eades Gale Baker
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1645030