H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 39/22 (2006.01)
Patent
CA 2333050
A superconductive tunnel junction device in which quasiparticles in a superconductive region (S1), relax into a normal metal trap (N1) releasing their potential energy in electron-electron interactions to increase the number of excited charge carriers in the trap. The excited charge carriers tunnel through an insulating tunnel junction barrier (I2) into a second superconductive region (S2). The quasiparticles in the first superconductive region are formed either by absorption of energetic particles/radiation or by injection by charge earners tunnelling in from a base region which can be of normal metal (N0) or superconductor (or both) or semiconductor. The current from the trap to the second superconductor is higher than that out of the base region thus providing current amplification. The device can thus form a three terminal transistor-like device. It can be used as or in particle/radiation detectors, as an analogue signal amplifier, microrefrigerator or digital switch.
L'invention concerne un dispositif de jonction à effet tunnel supraconducteur dans lequel les quasi-particules dans une région supraconductrice (S1) se relaxent dans un piège métallique normal (N1) libérant leur énergie potentielle dans des interactions électrons-électrons pour augmenter le nombre de porteurs de charge excités dans le piège. Les porteurs de charge excités ont un effet tunnel à travers une barrière (I2) de jonction a effet tunnel isolante jusque dans une seconde région supraconductrice (S2). Les quasi-particules dans la première région supraconductrice sont formées soit par absorption de particules énergétiques/rayonnement soit par injection par des porteurs de charge entrant par effet tunnel à partir d'une région de base pouvant être constituée d'un métal normal (N0) ou d'un supraconducteur (ou les deux) ou d'un semi-conducteur. Le courant allant du piège au second supra-conducteur est supérieur à celui sortant de la région de base fournissant ainsi une amplification du courant. Le dispositif peut ainsi former un dispositif de type transistor à trois bornes. Il peut être utilisé comme détecteur ou dans des détecteurs de particules/rayonnement, en tant qu'amplificateur de signaux analogiques, micro-réfrigérateurs ou commutateurs numériques.
Booth Norman Ewart
Nahum Michael
Ullom Joel Nathan
Isis Innovation Limited
Norton Rose Or S.e.n.c.r.l. S.r.l./llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1889692