H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 39/24 (2006.01) H01L 39/16 (2006.01)
Patent
CA 2309086
The supraconductor structure (2) comprises a substrate (3) made of a temperature resistant glass material, a buffer layer (4) deposited on said substrate, and a layer (5) deposited thereon which is made of a metal oxidic high-Tc-supraconductor-material. A glass material should be provided which has a thermal coefficient of expansion greater than 6 times 10-6 K-1 and a transformation temperature greater than 550 ~C. In order to produce the structure, at least one depositing method is selected in which the maximum temperature is no more than 100 K higher than the transformation temperature of the glass material.
L'invention concerne une structure supraconductrice (2) qui comporte un substrat (3) consitué d'un verre résistant aux températures élevées, une couche tampon (4) déposée sur le substrat, ainsi qu'une couche (5) déposée sur celle-ci est constituée d'un matériau supraconducteur à température de transition élevée, à oxyde de métal. Il faut utiliser un verre présentant un coefficient de dilatation thermique supérieur à 6 . 10 ?-6¿ K?-1¿ et une température de transformation supérieure à 550 ·C. Pour produire la structure selon l'invention, on sélectionne au moins un procédé de dépôt, selon lequel la température maximale dépasse, au maximum, de 100 K, la température de transformation du verre.
Aktiengesellschaft Siemens
Fetherstonhaugh & Co.
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1969310