Supersaturated rare earth doped semiconductor layers by...

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H - Electricity

01

L

H01L 31/0216 (2006.01) C30B 25/08 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) H01L 31/0288 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H04B 10/17 (2006.01) H01S 3/18 (1995.01)

Patent

CA 2095449

A CVD process for producing a rare earth-doped, epitaxial semiconductor layer on a substrate is disclosed. The process utilizes a silane or germane and a rare earth compound in the gas phase. By this method single phase, rare earth-doped semiconductor layers, supersaturated in the rare earth, are produced. The preferred rare earth is erbium and the preferred precursors for depositing erbium by CVD are erbium hexafluoroacetylacetonate, acetylacetonate, tetramethylheptanedionate and flurooctanedionate. The process may be used to produce optoelectronic devices comprising a silicon substrate and an erbium-doped epitaxial silicon film.

'invention est une méthode de dépôt chimique en phase vapeur utilisée pour déposer sur un substrat une couche semi-conductrice épitaxiale dopée avec une terre rare. La méthode utilise une substance en phase gazeuse constituée d'une terre rare et d'un silane ou d'un germane. On peut de la sorte produire des couches semi-conductrices à phase unique dopées avec une terre rare et sursaturées avec cette dernière. La terre rare choisie de préférence est l'erbium et les précurseurs choisis de préférence pour le dépôt chimique de l'erbium en phase vapeur sont l'hexafluoroacétylacétonate, l'acétylacétonate, le tétraméthylheptanedionate et le fluoro-octanedionate d'erbium. La méthode peut être utilisée pour produire des dispositifs optoélectroniques comportant un substrat de silicium et une couche mince de silicium épitaxial dopée à l'erbium.

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