Surface acoustic wave device

Details Surface acoustic wave device Surface acoustic wave device

H - Electricity

03

H

H03H 9/25 (2006.01) H03H 9/02 (2006.01) H03H 9/145 (2006.01)

Patent

CA 2374468

A surface acoustic wave device which is suitable for mass-production and excellent in operation characteristics in a high frequency area, and which comprises a diamond layer (3), a ZnO layer (4) formed on the diamond layer (3) and having a thickness of tz, interdigital electrodes (5) formed on the ZnO layer (4), for oscillating and receiving a surface acoustic wave, and an SiO¿2? layer (6) formed on the ZnO layer (4), covering the interdigital electrodes (5) and having a thickness of ts, wherein kh1 and kh2 given by kh1=5.2 .pi..(tz / .lambda., kh2 = 5.2 .pi..(ts / .lambda.) are given within a given mumerical value range, ? being a surface acoustic wave wavelength in a secondary mode, thereby enabling the use of a quintuple higher harmonic of a surface acoustic wave in a secondary mode to be excited.

L'invention concerne un dispositif à onde acoustique pouvant être produit en série et présentant des caractéristiques de fonctionnement supérieures dans une zone de haute fréquence, lequel dispositif comprend une couche de diamant (3), une couche de ZnO (4) formée sur la couche en diamant (3) et ayant une épaisseur tz, des électrodes interdigitées (5) formées sur la couche de ZnO (4), destinées à faire osciller et recevoir une onde acoustique de surface, et une couche de SiO¿2? (6) formée sur la couche de ZnO (4), recouvrant les électrodes interdigitées (5) et ayant une épaisseur ts, dans lequel kh1 et kh2 tels que kh1 = 5.2 .pi..(tz / .lambda.), kh2 = 5.2 .pi..(ts / .lambda.) se situent dans une gamme de valeurs numériques données, .lambda. étant une longueur d'onde d'une onde acoustique en mode secondaire, permettant ainsi l'utilisation d'une quintuple harmonique supérieure d'une onde acoustique de surface en mode secondaire à exciter.

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