H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/183 (2006.01) H01S 5/343 (2006.01)
Patent
CA 2347708
A surface-emission semiconductor laser is capable of transverse-mode oscillation control. A substrate includes a laminated semiconductor structure having an emission layer arranged between an upper reflector layer and a lower reflector layer. To form a window through which laser is emitted, an opening above the upper reflector layer part is coated in part with a layer, such as dielectric film, transparent to the laser wavelength. The transverse mode of laser oscillation can be controlled by varying the two-dimensional shape of the window.
L'invention concerne un laser à semi-conducteur à émission par la surface dont le mode transversal d'oscillation peut être commandé. Un substrat comprend une structure semi-conductrice stratifiée constituée d'une couche d'émission logée entre une couche réflectrice supérieure et une couche réflectrice inférieure. Pour former une fenêtre à travers laquelle émettre ce laser, une ouverture située sur la partie de couche réflectrice supérieure est partiellement recouverte d'une couche, telle qu'une couche pelliculaire diélectrique, transparente à la longueur d'onde du laser. Le mode transversal de l'oscillation laser peut être commandé par variation de la forme bidimensionnelle de cette fenêtre.
Kasukawa Akihiko
Yokouchi Noriyuki
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1774455