H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/183 (2006.01) H01S 5/323 (2006.01)
Patent
CA 2659421
A method for manufacturing a surface emitting laser element (1) comprises a step of preparing conductive GaN composite region substrate including a high-dislocation density high-conductivity region (10a), a low-dislocation density high-conductivity region (10b), and low-dislocation density low-conductivity region (10c) as a conductive GaN substrate (10), a semiconductor layer multilayer-body fabricating step of fabricating III-V group compound semiconductor layer multilayer bodies (20) including a light-emitting layer (200) on the substrate, and an electrode forming step of forming a semiconductor-side electrode (15) and a substrate-side electrode (11). The method is characterized in that the semiconductor layer and the electrodes are so formed that the light-emitting region (200a) which is formed in the light-emitting layer (200) and into which carriers flows is in the upper portion of the low-dislocation density high-conductivity region (10b). Thus, a surface emitting laser element where light emission from the light-emitting region is uniform can be produced with high production yield.
Un procédé permettant de fabriquer un élément de laser à émission par la surface (1) comprend une étape consistant à préparer un substrat à région composite GaN conducteur incluant une région à haute conductivité et à densité des dislocations élevée (10a), une région à haute conductivité et à densité des dislocations faible (10b) et une région à faible conductivité et à densité des dislocations faible (10c) en tant que substrat GaN conducteur (10), une étape consistant à fabriquer un corps multicouche à couche semi-conductrice de corps multicouches à couche semi-conductrice de composé de groupe III-V de fabrication (20) incluant une couche électroluminescente (200) sur le substrat, et une étape consistant à former une électrode permettant de former une électrode côté semi-conducteur (15) et une électrode côté substrat (11). Le procédé est caractérisé en ce que la couche semi-conductrice et les électrodes sont formées de manière à ce que la région électroluminescente (200a) qui est formée dans la couche électroluminescente (200) et dans laquelle les porteurs de charge circulent se retrouve dans la partie supérieure de la région à haute conductivité et à densité des dislocations faible (10b). De la sorte, un élément de laser à émission par la surface où l'émission de lumière à partir de la région électroluminescente est uniforme peut être produit suivant un rendement élevé de production.
Matsubara Hideki
Matsukawa Shinji
Nakanishi Fumitake
Saito Hirohisa
Marks & Clerk
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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