Susceptor designs for silicon carbide thin films

Details Susceptor designs for silicon carbide thin films Susceptor designs for silicon carbide thin films

C - Chemistry, Metallurgy

30

B

148/2.4

C30B 25/12 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01) C23C 16/458 (2006.01)

Patent

CA 2284771

A susceptor is disclosed for minimizing or eliminating thermal gradients that affect a substrate wafer during epitaxial growth. The susceptor includes a first susceptor portion including a surface for receiving a semiconductor substrate wafer thereon, and a second susceptor portion. The susceptor is characterized in that the second susceptor portion faces the substrate receiving surface and is spaced from the substrate-receiving surface, with the spacing being sufficiently large to permit the flow of gases therebetween for epitaxial growth on a substrate on the surface, while small enough for the second susceptor portion to heat the exposed face of a substrate to substantially the same temperature as the first susceptor portion heats the face of a substrate that is in direct contact with the substrate-receiving surface.

L'invention concerne un suscepteur destiné à minimiser ou éliminer les gradients thermiques qui affectent une tranche de substrat lors de la croissance épitaxiale. Ledit suscepteur comprend deux parties. La première présente une surface destinée à recevoir une tranche de substrat semi-conducteur. Le suscepteur est caractérisé en ce que sa seconde partie est tournée vers la surface réceptrice du substrat tout en étant séparée de cette dernière. L'espacement entre les deux est à la fois suffisamment important pour permettre l'écoulement de gaz en vue de la croissance épitaxiale sur un substrat disposé sur la surface, et suffisamment petit pour que la seconde partie du suscepteur chauffe la face exposée d'un substrat, à une température sensiblement identique à celle avec laquelle la première partie du suscepteur chauffe la face d'un substrat placé directement au contact de la surface réceptrice du substrat.

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