H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/00 (2006.01)
Patent
CA 2484700
A susceptor for holding semiconductor wafers in an MOCVD reactor during growth of epitaxial layers on the wafers is disclosed. The susceptor comprises a base structure made of a material having low thermal conductivity at high temperature, and has one or more plate holes to house heat transfer plugs. The plugs are made of a material with high thermal conductivity at high temperatures to transfer heat to the semiconductor wafers. A metalorganic organic chemical vapor deposition reactor is also disclosed utilizing a susceptor according to the present invention.
La présente invention concerne un suscepteur conçu pour supporter des tranches à semi-conducteurs dans un réacteur MOCVD pendant la croissance de couches épitaxiales sur les tranches. Le suscepteur comprend une structure de base constituée d'un matériau à faible conductivité thermique à haute température et comportant un ou plusieurs orifices de plaque servant à recevoir les broches de transfert thermique. Les broches sont formées d'un matériau à forte conductivité thermique à haute température afin de transférer la chaleur sur les tranches à semi-conducteurs. La présente invention concerne également un réacteur de dépôt chimique métal-oxyde en phase vapeur qui comprend un suscepteur selon l'invention.
Batres Max
Coulter Michael
Denbaars Steven
Nakamura Shuji
Cree Inc.
Cree Lighting Company
Oyen Wiggs Green & Mutala Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1359313