H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/76 (2006.01)
Patent
CA 2611066
Disclosed are a switch mode power amplifier and a field effect transistor especially suitable for use in a switch mode power amplifier. The transistor is preferably a compound high electron mobility transistor (HEMT) having a source terminal and a drain terminal with a gate terminal therebetween and positioned on a dielectric material. A field plate extends from the gate terminal over at least two layers of dielectric material towards the drain. The dielectric layers preferably comprise silicon oxide and silicon nitride. A third layer of silicon oxide can be provided with the layer of silicon nitride being positioned between layers of silicon oxide. Etch selectivity is utilized in etching recesses for the gate terminal.
La présente invention a trait à un amplificateur de puissance de mode de commutateur et un transistor à effet de champ particulièrement apte à être utilisé dans un amplificateur de puissance de mode de commutateur. Le transistor est de préférence un transistor composé à haute mobilité d'électrons ayant une borne de source et une borne de drain avec une borne de grille interposée et positionnée sur un matériau diélectrique. Une plaque de champ s'étend depuis la borne de grille sur au moins deux couches de matériau diélectrique vers le drain. Les couches diélectriques comporte de préférence de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium. Une troisième couche d'oxyde de silicium peut être prévue avec la couche de nitrure de silicium étant positionnée entre les couches d'oxyde de silicium. La sélectivité de gravure est utilisée pour la gravure des évidements pour la borne de grille.
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2053209