H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 51/30 (2006.01) H01L 51/40 (2006.01)
Patent
CA 2431064
A method is provided for forming a device. The method provides an insulating substrate including a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode. The method provides carbon nanotube bundles including metallic and semiconducting component nanotubes in contact with the substrate. The method applies a voltage to the gate electrode to deplete the semiconducting component nanotubes of carriers, applies an electrical current through the nanotube, from a source electrode to a drain electrode, and breaks at least one metallic component nanotube to form a field effect transistor. The carbon nanotube bundle can be a multi-walled nanotube or a single-walled nanotube rope.
L'invention porte sur un procédé servant à la fabrication d'un dispositif. Selon ce procédé, on se munit d'un substrat isolant comportant une électrode de source, une électrode de drain et une électrode de grille. On met des faisceaux de nanotubes de carbone, comprenant des nanotubes à composants semi-conducteurs et métalliques, en contact avec le substrat. Une tension est appliquée sur l'électrode de grille afin de vider les nanotubes à composants semi-conducteurs de porteurs de charge, un courant électrique est appliqué, lequel traverse le nanotube, depuis une électrode de source vers une électrode de drain, et au moins un nanotube à composants métalliques est rompu afin de former un transistor à effet de champ. Le faisceau de nanotubes de carbone peut consister en un nanotube à plusieurs parois ou en un ruban de nanotubes à paroi unique.
Avouris Phaedon
Collins Philip G.
Martel Richard
International Business Machines Corporation
Wang Peter
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1736349