G - Physics – 01 – R
Patent
G - Physics
01
R
G01R 31/3185 (2006.01) G06F 11/26 (2006.01) H04M 1/24 (2006.01) H04M 1/725 (2006.01) H04Q 7/32 (2006.01) H04Q 7/34 (2006.01)
Patent
CA 2432058
A system and method for parallel programming an electronic device's memory during manufacturing. In one embodiment, the electronic device is programmed in parallel with test code and a portion of the system code (42) prior to board level testing. The test code is then used (46) during board level testing of the electronic device. Once board level testing is complete, the electronic device is programmed with additional system code (50) to complement the existing system code, whereby system level testing is then performed (52).
L'invention concerne un système et un procédé de programmation parallèle de la mémoire d'un dispositif électronique au cours de la fabrication. Dans un mode de réalisation, le dispositif électronique est programmé en parallèle avec un code de test et une partie du code de système avant les essais au niveau de la carte. Le code de test est alors utilisé au cours des essais au niveau de la carte du dispositif électronique. Une fois que les essais au niveau de la carte sont achevés, le dispositif électronique est programmé avec un code de système additionnel pour complémenter le code de système existant, les essais au niveau du système sont alors effectués.
Maloney John E.
Swazey Scott T.
Qualcomm Incorporated
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2061653