H - Electricity – 01 – J
Patent
H - Electricity
01
J
H01J 37/32 (2006.01) C23C 14/32 (2006.01) C30B 23/08 (2006.01) C30B 29/40 (2006.01)
Patent
CA 2597623
An apparatus and process for fast epitaxial deposition of compound semiconductor layers includes a low-energy, high-density plasma generating apparatus for plasma enhanced vapor phase epitaxy. The process provides in one step, combining one or more metal vapors with gases of non-metallic elements in a deposition chamber. Then highly activating the gases in the presence of a dense, low-energy plasma. Concurrently reacting the metal vapor with the highly activated gases and depositing the reaction product on a heated substrate in communication with a support immersed in the plasma, to form a semiconductor layer on the substrate. The process is carbon-free and especially suited for epitaxial growth of nitride semiconductors at growth rates up to 10 nm/s and substrate temperatures below 1000~C on large-area silicon substrates. The process requires neither carbon-containing gases nor gases releasing hydrogen, and in the absence of toxic carrier or reagent gases, is environment friendly.
L'invention concerne un appareil et un procédé destiné au dépôt épitaxial rapide de couche à semiconducteur de composé contenant un appareil générant du plasma haute densité, de faible énergie pour une épitaxie en phase vapeur améliorée en plasma. Le procédé consiste en une étape destinée à combiner une ou plusieurs vapeurs métalliques avec des gaz d'éléments non métalliques dans une chambre de dépôt. Elle consiste ensuite à activer fortement les gaz en présence d'un plasma de faible énergie, dense, et à mettre simultanément en réaction la vapeur métallique avec des gaz fortement activés, puis à déposer le produit de réaction sur un substrat chauffé en communication avec un support immergé dans le plasma, afin de former une couche à semiconducteur sur le substrat. Le procédé est dépourvu de carbone et spécialement conçu pour la croissance épitaxiale de semiconducteurs de nitrure à des vitesses de croissance pouvant atteindre 10 nm/s et des températures de substrat inférieures à 1000 °C sur des substrats en silicium de grande surface. Le procédé ne nécessite ni des gaz contenant du carbone, ni des gaz libérant de l'hydrogène, et en absence de support toxique ou de gaz réactif, se révèle être respectueux de l'environnement.
Epispeed S.a.
Smart & Biggar
Sulzer Metco Ag
LandOfFree
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