H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 3/137 (2006.01) H01S 3/082 (2006.01) H01S 5/10 (2006.01) H01S 5/14 (2006.01)
Patent
CA 2218068
A large-area semiconductor laser diode in an extended laser cavity is locked by a passive optical coupling to a passive resonator for frequency and amplitude stable buildup of an intracavity field in the passive resonator. The large-area laser diode may be a broad-area diode, a phased array, or a tapered amplifier. The extended laser cavity may be a linear cavity, or a ring cavity in either a double-pass or a single-pass configuration. Spatial beam cleanup and passive locking are simultaneously achieved. The concentrated power in the passive resonator is useful for accomplishing second harmonic generation, frequency summing and the like at high levels of efficiency and at low noise levels resulting from the frequency and amplitude stability within the passive resonator.
Cette diode laser semi-conductrice à grande surface, placée dans un cavité laser étendue, est asservie par couplage optique passif à un résonateur passif, ce qui permet d'augmenter de façon stable la fréquence et l'amplitude d'un champ dans la cavité de ce résonateur passif. Cette diode laser à grande surface peut être à grande longeur ou bien un réseau piloté en phase ou un amplificateur à raccord progressif. La cavité laser étendue peut-être linéaire ou annulaire, et présenter une configuration à simple ou double passage. On obtient simultanément un filtrage spatial de faisceau et un asservissement passif. La puissance concentrée dans le résonateur passif sert à produire un deuxième harmonique, à additionner des fréquences, etc., avec une grande efficacité et de faibles niveaux de bruit dus à la stabilité de fréquence et d'amplitude régnant dans ce résonateur passif.
Atx Telecom Systems Inc.
Gowling Lafleur Henderson Llp
Scientific-Atlanta Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1908395