G - Physics – 03 – F
Patent
G - Physics
03
F
G03F 7/00 (2006.01) G02B 6/42 (2006.01) G03F 1/00 (2006.01) G03F 9/00 (2006.01) H01L 23/02 (2006.01) H01S 3/00 (2006.01) H01S 5/022 (2006.01) H01S 5/40 (2006.01) H01S 5/028 (2006.01) H01S 5/042 (2006.01) H01S 5/10 (2006.01) H01S 5/12 (2006.01) H01S 5/125 (2006.01) H01S 5/187 (2006.01) H01S 5/22 (2006.01)
Patent
CA 2304795
Phase masks which can be used to make both linear and curved gratings of single or multiple submicron pitches, with or without any abrupt quarter- wavelength shifts (or gradually varying finer phase shifts) simultaneously on the wafer/substrate. The phase masks are made using direct write electron or ion-beam lithography of two times the required submicron pitches of linear and curved gratings on commercially available .pi. phase-shifting material on a quartz substrate and wet or dry etching of the .pi. phase-shifting material. The phase masks can be used in connection with making multi-wavelength laser diode chips. The laser diodes have a ridge structure with metal shoulders on either side of the ridge. The laser diode chip, with different wavelength lasers, is bonded and interfaced to a novel microwave substrate that allows for high signal-to-noise ratio and low crosstalk. The substrate is packaged in a low loss rugged housing for WDM applications.
Masques de phase qu'on peut utiliser afin de fabriquer des réseaux à la fois linéaires et incurvés présentant des pas uniques ou multiples inférieurs au micron, avec ou sans décalages abrupts de quart de longueur d'onde (ou des déphasages plus fins à variations graduelles), simultanément sur la tranche ou le substrat. On fabrique ces masques de phase au moyen d'un procédé lithographique par faisceau ionique ou électronique à gravure directe deux fois supérieur aux pas nécessaires inférieurs au micron des réseaux linéaires et incurvés de matériau disponible dans le commerce de déphasage .pi. sur un substrat de quartz et par attaque chimique humide ou sèche dudit matériau. On peut utiliser ces masques de phase dans la fabrication de puces de diodes laser à longueurs d'ondes multiples. Ces diodes laser présentent une structure de crête dont les deux côtés comportent des appuis en métal. On colle la puce de diode laser, sur des lasers de longueurs d'ondes différentes, et on la met en contact avec un nouveau substrat micro-onde permettant d'obtenir un rapport élevé entre signal et bruit et une diaphonie atténuée. On encapsule ce substrat dans un boîtier robuste à faibles pertes.
Fetherstonhaugh & Co.
Quantum Devices Inc.
LandOfFree
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