H - Electricity – 03 – D
Patent
H - Electricity
03
D
H03D 1/02 (2006.01) H04B 1/02 (2006.01) H04B 1/40 (2006.01) H03D 1/10 (2006.01) H03D 1/18 (2006.01)
Patent
CA 2120095
A TC controlled RF signal detecting circuitry (211) used in the output power control circuit of a TDMA RF signal power amplifier includes positive coefficient current source (303) producing current I+, negative coefficient current source (305) producing current I-, and current mirror (301) for summing currents I+ and I- to produce substantially identical compensated mirror currents Im1 and Im2. Anti-clamping current mirror (309) mirrors current Im2 to produce compensated currents Ia1 and Ia2, which are applied to and bias a Schottky diode coupled in series to a resistor network in each leg of diode detector (311). Schottky diode (431) in one leg of diode detector (311) half-wave rectifies RF feedback signal (212) to produce temperature and voltage compensated power level signal (229), which has a DC level proportional to the output power level of RF output signal (214).
Circuit de détection de signaux RF à compensation thermique (211), utilisé dans le circuit de commande de puissance de sortie d'un amplificateur de puissance de signal RF AMRT. Comprend une source de courant à coefficient positif (303) produisant un courant I+, une source de courant à coefficient négatif (305) produisant un courant I-, et un miroir de courant (301) pour mettre en sommation les courants I+ et I- afin de produire les courants compensés essentiellement identiques Im1 et Im2. Le miroir de courant anti-blocage (309) produit, à partir du courant Im2, les courants compensés Ia1 et Ia2, qui polarisent une diode de Schottky montée en série avec un réseau de résistances dans chaque embranchement du détecteur à diode (311). La diode de Schottky (431) d'un embranchement du détecteur à diode (311) effectue le redressement demi-onde du signal de rétroaction RF (212) afin de produire un signal de niveau de puissance compensé en température et en tension (229), dont le niveau c.c. est proportionnel au niveau de la puissance du signal de sortie RF (214).
Hietala Alexander W.
Stockstad Troy L.
Vyne Robert L.
Gowling Lafleur Henderson Llp
Motorola Inc.
LandOfFree
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