Temperature-compensated current reference circuit

Details Temperature-compensated current reference circuit Temperature-compensated current reference circuit

G - Physics

05

F

G05F 3/02 (2006.01) G05F 3/16 (2006.01) G05F 3/24 (2006.01)

Patent

CA 2498780

A current-reference circuit comprises a CMOS differential amplifier having first output node comprising a drain of a first n-channel MOS transistor and a second output node comprising a drain of a second n-channel MOS transistor. A first p-channel MOS transistor has a source coupled to a supply potential, a gate coupled to the second output node, and a drain. A first PNP bipolar transistor has an emitter coupled to the drain of the first p-channel MOS transistor through a first resistor and to a gate of the second n-channel MOS transistor, and a collector and a base both coupled to ground. A second PNP bipolar transistor has an emitter coupled to the drain of the first p-channel MOS transistor through a second resistor in series with a third resistor, and a collector and a base both coupled to ground. The gate of the first n-channel MOS transistor is coupled to a common node between the second and third resistors. A third n-channel MOS transistor has a drain coupled to the drain of the first p-channel MOS transistor, a source coupled to ground through a fourth resistor, and a gate coupled to either a reference potential or to the common node between the second and third resistors.

L'invention concerne un circuit de référence de courant comprenant un amplificateur différentiel CMOS, présentant un premier noeud de sortie comprenant un drain d'un premier transistor MOS à n canaux, et un second noeud de sortie comprenant un drain d'un second transistor MOS à n canaux. Un premier transistor MOS à p canaux présente une source couplée à un potentiel d'alimentation, une grille couplée au second noeud de sortie, et un drain. Un premier transistor bipolaire PNP présente un émetteur couplé au drain du premier transistor MOS à p canaux par le biais d'une première résistance, et à une grille du second transistor MOS à n canaux, et un collecteur, ainsi qu'une base, tous les deux étant couplés à la terre. Un second transistor bipolaire PNP comporte un émetteur couplé au drain du premier transistor MOS à p canaux, par le biais d'une seconde résistance en série avec une troisième résistance, et un collecteur, ainsi qu'une base couplés à la terre. La grille du premier transistor MOS à n canaux est couplée à un noeud commun entre la seconde et la troisième résistance. Un troisième transistor MOS à n canaux comporte un drain couplé au drain du premier transistor MOS à p canaux, une source couplée à la terre par le biais d'une quatrième résistance, et une grille couplée à soit un potentiel de référence ou au noeud commun entre la seconde résistance et la troisième résistance.

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