Testing apparatus and method for determining an etch bias...

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H - Electricity

01

L

H01L 23/544 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)

Patent

CA 2540359

A testing apparatus for determining the etch bias associated with a semiconductor-processing step includes a substrate, a first cathode finger with a first width on the substrate, a second cathode finger with a second width on the substrate, and a cathode large area on the substrate wherein the cathode large area has a third width W'' and a length L " that are both substantially larger than either of the first and second widths.

La présente invention se rapporte à un appareil d'essai permettant de déterminer le biais de gravure associé à une étape de traitement de semi-conducteur. Ledit appareil comprend un substrat, un premier doigt cathode présentant une première largeur et placé sur le substrat, un deuxième doigt cathode présentant une deuxième largeur et placé sur le substrat, et une vaste zone de cathode située sur le substrat, ladite vaste zone de cathode présentant une troisième largeur W'' et une longueur L'', ces dernières étant toutes deux sensiblement plus importantes que l'une ou l'autre des première et deuxième largeurs.

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