H - Electricity – 02 – N
Patent
H - Electricity
02
N
H02N 10/00 (2006.01) H01J 45/00 (2006.01)
Patent
CA 2401810
Solid state thermionic energy converter semiconductor diode implementation and method for conversion of thermal energy to electric energy, and electric energy to refrigeration. In embodiments of this invention a highly doped N region (16) can serve as an emitter region, from which carriers can be injected into a gap region. The gap region can be P-type, intrinsic, or moderately doped N-type (14). A hot ohmic contact (20) is connected to the N-type region. A cold ohmic contact (12) serves as a collector and is connected to the other side of the gap region. The cold ohmic contact has a recombination region formed between the cold ohmic contact and the gap region and a blocking compensation layer that reduces the thermoelectric back flow component. The heated emitter relative to the collector generates an EMF which drives current through a series load. The inventive principle works for hole conductivity, as well as for electrons.
Dispositif de diode à semiconducteur, convertisseur énergétique, thermoionique et procédé de conversion d'énergie thermique en énergie électrique, et d'énergie électrique en énergie de réfrigération. Dans certains modes de réalisation de l'invention, une zone <i>n</i>* fortement dopée peut servir de zone émettrice à partir de laquelle des porteuses peuvent être injectées dans un entrefer. Ledit entrefer peut être du type <i>p</i>, intrinsèque, ou du type <i>n</i> à dopage modéré. Un contact ohmique chaud est connecté à la zone de type <i>n</i>*. Un contact ohmique froid sert de collecteur et est connecté à l'autre côté de la zone d'entrefer. Le contact ohmique froid comporte une zone de recombinaison formée entre le contact ohmique froid et la zone d'entrefer et une couche de compensation de blocage réduisant la composante de retour thermoélectrique. L'émetteur chauffé par rapport au collecteur, génère une FEM qui conduit le courant à travers une série de charges. Le principe de l'invention s'applique à la conduction par trous et aux électrons.
Hagelstein Peter L.
Kucherov Yan R.
Cassan Maclean
Eneco Inc.
Micropower Global Limited
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1873754