H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/105 (2006.01) H01L 25/04 (2006.01) H01L 27/14 (2006.01)
Patent
CA 2251077
A structure of several i-layers is limited on one side by a p-layer and on the other side by an n-layer. The structure has means that form said i-layers in such a way that at least in the boundary area between two adjacent i-layers (i?I¿, i?II¿), seen in the light incidence direction, the bandgap E¿g? (I) of the first i-layer (i?I¿) closer to the light input side is larger than the bandgap E¿g? (II) of the second i-layer (i?II¿) adjacent to the first and further removed from the light input side. In addition, in the boundary area between two adjacent i-layers (i?I¿, i?II¿), in the direction from the p-layer to the n-layer, the product µ?(I) of the i-layer (i?I¿) further removed from the n-layer is larger than the product µ?(II) of the i-layer (i?II¿) closer to the n-layer. A structure is thus obtained for forming a colour sensor which generates signals which need to be superimposed to a lesser extent for image processing. The structure is preferably designed as a pin- or nip-structure.
L'invention concerne une structure avec plusieurs couches i, délimitée d'un côté par une couche p et de l'autre côté par une couche n. La structure comprend des moyens qui forment ces couches de sorte qu'au moins dans la zone limitrophe entre deux couches i adjacentes (i?I¿, i?II¿), vu dans le sens d'incidence de la lumière, l'écart énergétique E¿g? (I) de la première couche i (i?I¿) plus proche du côté d'admission de la lumière est supérieur à l'écart énergétique E¿g? (II) de la deuxième couche i (i?II¿) adjacente à la première et plus éloignée du côté d'admission de la lumière. En outre, dans la direction qui va de la couche p à la couche n, le produit µ?(I) de la couche i (i?I¿) plus éloignée de la couche n est supérieur au produit µ?(II) de la couche i (i?II¿) plus proche de la couche n. On obtient ainsi une structure pour former un détecteur de couleurs qui génère des signaux nécessitant une superposition moindre à des fins de traitement d'images. La structure est de préférence réalisée sous forme d'une structure pin ou nip.
Folsch Joachim
Knipp Dietmar
Stiebig Helmut
Forschungszentrum Julich Gmbh
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1843084