H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/71 (2006.01) H01L 21/77 (2006.01) H01L 27/085 (2006.01) H01L 27/098 (2006.01)
Patent
CA 2750215
Multiple types of gate stacks (100,..., 600) are formed on a doped semiconductor well. A high dielectric constant (high-k) gate dielectric (30L) is formed on the doped semiconductor well (22, 24). A metal gate layer (42L) is formed in one de-vice area, while the high-k gate dielectric is exposed in other device areas (200, 400, 500, 600). Threshold voltage adjustment oxide layers having different thicknesses are formed in the other device areas. A conductive gate material layer (72L) is then formed over the threshold voltage adjustment oxide layers. One type of field effect transistors includes a gate dielectric including a high-k gate dielectric portion. Other types of field effect transistors include a gate dielectric including a high-k gate dielectric portion and a first threshold voltage adjustment oxide portions having different thicknesses. Field effect transistors having different threshold voltages are provided by employing different gate dielectric stacks and doped semiconductor wells having the same dopant concentration.
De multiples types d'empilements de grille (100, ..., 600) sont formés sur un puits semi-conducteur dopé. Un diélectrique de grille (30L) à constante diélectrique élevée (k élevée) est formé sur le puits semi-conducteur dopé (22, 24). Une couche de grille métallique (42L) est formée sur une région de dispositif, tandis que le diélectrique de grille à k élevée est exposé dans d'autres régions de dispositif (200, 400, 500, 600). Des couches d'oxyde à ajustement de tension de seuil ayant différentes épaisseurs sont formées dans les autres régions de dispositif. Une couche de matériau de grille conducteur (72L) est ensuite formée sur les couches d'oxyde à ajustement de tension de seuil. Un type de transistors à effet de champ comprend un diélectrique de grille comprenant une partie diélectrique de grille à k élevée. D'autres types de transistors à effet de champ comprennent un diélectrique de grille ayant une partie diélectrique de grille à k élevée et de premières parties d'oxyde à ajustement de tension de seuil ayant différentes épaisseurs. Les transistors à effet de champ ayant différentes tensions de seuil sont fournis par l'emploi d'empilements de diélectrique de grille différents et de puits semi-conducteurs dopés ayant la même concentration en dopant.
Chudzik Michael P.
Greene Brian J.
Han Shu-Jen
Henson William K.
Liang Yue
International Business Machines Corporation
Wang Peter
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2011694