H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/44 (2006.01) H01L 29/43 (2006.01)
Patent
CA 2607885
A through-wafer interconnect and a method for fabricating the same are disclosed. The method starts with a conductive wafer (300) to form a patterned trench by removing material of the conductive wafer. The patterned trench extends in depth from the front side to the backside of the wafer, and has an annular opening generally dividing the conductive wafer into an inner portion and an outer portion whereby the inner portion of the conductive wafer is insulated from the outer portion and serves as a through-wafer conductor (310). A dielectric material (320) is formed or added into the patterned trench mechanical to support and electrically insulate the through-wafer conductor. Multiple conductors can be formed in an array.
La présente invention concerne une interconnexion transversale sur plaquette et un procédé pour la produire. Ce procédé consiste d'abord à former une tranchée à motif dans une plaquette conductrice, par enlèvement de matière. La tranchée à motif s'étend en profondeur depuis la face avant jusqu'à la face arrière de la plaquette et présente une ouverture annulaire qui divise en principe la plaquette conductrice en une partie interne et en une partie externe. La partie interne de la plaquette conductrice est isolée de la partie externe et sert de conducteur transversal sur plaquette. Une matière diélectrique est produite ou ajoutée mécaniquement dans la tranchée à motif afin de soutenir et d'isoler électriquement le conducteur transversal sur plaquette. De multiples conducteurs peuvent être formés dans un réseau.
Kolo Technologies Inc.
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1986398