G - Physics – 01 – N
Patent
G - Physics
01
N
G01N 27/414 (2006.01) C12Q 1/68 (2006.01) G01N 33/543 (2006.01) G01N 33/551 (2006.01)
Patent
CA 2235128
Binding of a molecule (24) to a molecular receptor (22) is sensed using a transistor (10) having a gate (14) located at a binding site. The channel (20) conductance of the transistor (10) is modified by a charge associated with the molecule (24) when the molecule (24) binds with the molecular receptor (22). A modified electrical characteristic of the transistor (10) which results is sensed to sense the binding event. Electric field enhancement is provided by applying a voltage to the gate (14). A second sensing transistor can be coupled to the sensing transistor to form a differential pair. The differential pair allows for enhancing and sensing of differential binding events.
La liaison d'une molécule (24) à un récepteur moléculaire (22) est détectée à l'aide d'un transistor (10) présentant une grille (14) située au niveau d'un site de liaison. La conductance du canal (20) du transistor (10) est modifiée par une charge associée à la molécule (24), lorsque la molécule (20) se lie au récepteur moléculaire (22). Une caractéristique électrique modifiée du transistor (10) en résultant est détectée afin de détecter l'évènement de liaison. L'amélioration du champ électrique est obtenue par application d'une tension à la grille (14). Un second transistor de détection peut être couplé au transistor de détection afin de former une paire différentielle. La paire différentielle permet l'amélioration et la détection d'évènements de liaison différentielle.
Ackley Donald E.
Shieh Chan-Long
Gowling Lafleur Henderson Llp
Motorola Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1672357