Transistors having buried n-type and p-type regions beneath...

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H - Electricity

01

L

H01L 29/08 (2006.01) H01L 29/812 (2006.01)

Patent

CA 2590626

The present invention provides a unit cell of a metal-semiconductor field- effect transistor (MESFET). The unit cell of the MESFET includes a source, a drain and a gate. The gate is disposed between the source and the drain and on an n-type conductivity channel layer. A p-type conductivity region is provided beneath the source and has an end that extends towards the drain. The p-type conductivity region is spaced apart from the n-type conductivity channel region and is electrically coupled to the source. An n-type conductivity region is provided on the p-type conductivity region beneath the source region and extending toward the drain region without extending beyond the end of the p-type conductivity region. Related methods of fabricating MESFETS are also provided.

L'invention concerne une cellule unitaire d'un transistor à effet de champ métal-semiconducteur (MESFET). La cellule unitaire du MESFET comprend une source, un drain et une grille. Celle-ci est disposée entre la source et le drain et sur une couche à canaux à conductivité de type n. Une région à conductivité de type p est placée à côté de la source et comprend une extrémité s'étendant en direction du drain. La région à conductivité de type p est espacée de la région à canaux à conductivité de type n et est couplée de manière électrique à la source. Une région à conductivité de type n est placée sur la région à conductivité de type p à côté de la région source et s'étendant en direction de la région drain sans s'étendre au-delà de l'extrémité de la région à conductivité de type p. L'invention concerne également des procédés de fabrication relatifs de MESFETS.

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